Crucial Ballistix DDR4-3600 32GB 套條開箱

就上機開超吧 ( 多圖警告 )

摸透 CPU NB/Soc 電壓在不超過 1.2 V 的狀態下

這顆 3700X Infinity Fabric 的頻率 ( FCLK ) 上限為 1867 Mhz ( GF 14 nm 烙賽 )

接著換上記憶體 , 開機 , BIOS 跳出更換過記憶體的提示 , 進入 BIOS

PBO 相關設定參考前一篇文章 [ 戳這裡前往 ]

設定億些參數

進入進階模式
進入進階模式
使用 Memory Try It
使用 Memory Try It
調整 UCLK 和 MEMCLK 模式
調整 UCLK 和 MEMCLK 模式
設定 FCLK 和 DRAM Frequency
設定 FCLK 和 DRAM Frequency
進入進階記憶體選項
進入進階記憶體選項
Memory Try It 後記憶體主參數已帶入
Memory Try It 後記憶體主參數已帶入
記憶體副參數Auto
記憶體副參數Auto
記憶體副參數Auto
記憶體副參數Auto
關閉 Geardown Mode , Power Down Enable , TSME , DRAM Latency Enhance
關閉 Geardown Mode , Power Down Enable , TSME , DRAM Latency Enhance
其他更多記憶體參數
其他更多記憶體參數
設定 CPU NB/Soc 電壓
設定 CPU NB/Soc 電壓
使用 Memory Try It 後記憶體自動加壓
使用 Memory Try It 後記憶體自動加壓

接著就 F10 儲存重開機

Debug Code 七段顯示器模組

沒卡 Code 真棒

在沒有細條時序的狀況下

延遲表現

使用 Memory Try It 的好處是一定能成功

壞處是時序給得很保守 ( 應該說保證能開機的時序 )

附上時序

接著進行純手動操作

Part 1

使用 DRAM Calculator for Ryzen 及 TestMem5 輔助

調一個時序燒一次機

過程中 BOSD 好幾次

有幾度還起不來

清了無數次的 CMOS

在歷經了多個晚上的調整

調出相對緊的時序 , 70 ns 內 還行吧 ( 之後再試試看 69 ns 內 )

附上時序

Part 2

經過多次努力延遲壓在 67.1ns

附上時序

上述超頻以同步 FCLK 為基礎

皆為 TestMem5 @1usmus v3

和 RunMemTest Pro 4.5 ( MemTestPro70 ) 400% 燒機過測

min
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